SiCパワーデバイスおよびモジュール
シリコンケイ素パワーモジュール
当社の業界標準および最適化されたフットプリントの幅広いモジュールで、SiCパワーエレクトロニクスのユニークな性能を最大限に活用してください。
Coherentは、SiCエレクトロニクスの完全垂直統合型メーカーであり、材料の成長からダイ、モジュールに至るまで、すべてを管理しています。機器の性能を保証し、納期や品質管理に関してもご安心いただけます。
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シリコンカーバイドパワーモジュールの特徴
信頼性の高いGE SiC MOSFETデバイス
低RDS(on) (3.1 mΩ – デバイスのみ)
低浮遊インダクタンス (1 nH)
SiCダイは200°Cまで対応
全動作範囲にわたって超低スイッチング損失
逆回復を最小限に抑えたボディダイオード
統合された温度検知
専用のDESATピンとソース - ケルビンピン
AlSiCベースプレートとSi3N4 AMB基板
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