SiCパワーデバイスおよびモジュール
シリコンケイ素パワーモジュール
当社の業界標準および最適化されたフットプリントの幅広いモジュールで、SiCパワーエレクトロニクスのユニークな性能を最大限に活用してください。
改善されたシステム効率、パフォーマンス、信頼性。より高温かつ困難な環境にも適応。冷却要件を緩和し、システム全体のコストと複雑さを軽減。連続的なハードコミュテーションのあるトポロジーで効果的に動作。出力密度を高め、双方向のトポロジーをサポート。
シリコンカーバイドパワーモジュールの特徴
信頼性の高いSiC MOSFETデバイス
低RDS(on)（2.9 mΩ～60 mΩ – デバイスのみ）
低浮遊インダクタンス
SiCダイは200°Cまで対応
全動作範囲にわたって超低スイッチング損失
逆回復を最小限に抑えたボディダイオード
専用のソース – ケルビンピン
Si3N4 AMB基板が利用可能
