SiC-Leistungsgeräte und -Module

Siliziumkarbid-Leistungsmodule

Silicon Carbide Power Modules

Nutzen Sie die einzigartigen Fähigkeiten der SiC-Leistungselektronik mit unserem breiten Sortiment an Modulen im Industriestandard und optimierten Footprints.

Höhere Systemeffizienz, Leistung und Zuverlässigkeit. Geeignet für höhere Temperaturen und schwierigere Umgebungen. Geringere Kühlanforderungen, somit geringere Gesamtsystemkosten und Komplexität. Effektiver Betrieb in Topologien mit kontinuierlich harter Kommutierung. Erhöht die Leistungsdichte und unterstützt bidirektionale Topologien.

Siliziumkarbid-Leistungsmodule – Eigenschaften

  • Äußerst zuverlässige SiC-MOSFET-Geräte

  • Niedriges RDS(on) (2,9 mΩ ~ 60 mΩ – nur Gerät) 

  • Geringe Streuinduktivität

  • SiC-Chip, geeignet für 200 °C 

  • Extrem niedrige Schaltverluste über den gesamten Betriebsbereich

  • Body-Diode mit minimaler Sperrverzögerung 

  • Dedizierter Quell-Kelvin-Pin 

  • Si3N4-AMB-Substrat verfügbar

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