InPオプトエレクトロニクス

これらのInPベースのレーザ、デバイス、フォトダイオード製品は、高速O、C、Lバンドの光ファイバー通信に使用できます。

非冷却時の出力は100 mW、冷却時の出力は300 mWで、最先端のOバンドトランシーバーでレーンあたりそれぞれ100 Gbpsと200 Gbpsを得ることができます。

NRZまたはPAM4（4レベル）変調をベースとした高速非冷却式トランシーバーには、4つのOバンドCWDM波長すべてで利用できる13XX nmレーザダイオードチップを使用できます。

これらのレーザダイオードチップを使用することで、Oバンド（13XX nm）ファイバー光ネットワーク、データセンター、および最大10 GHzのシステム用のトランシーバーやその他の通信部品を構築できます。

ファブリーペロー（FP）および分布帰還（DFB）型レーザダイオードチップを使用することで、数mWの13XX nmレーザ出力が必要な光トランシーバーやその他のコンポーネントを構築できます。

これらの統合（DFBレーザ＋変調器）デバイスを使用して、28 GBd PAM4変調（ビットレート：56 Gb/s）または56 GBd PAM4変調（ビットレート：112 Gb/s）用のコンポーネントを構築できます。

これらの自己密閉型デバイスは、1270～1620 nmの波長範囲でチャネルモニタリングに使用でき、標準的な応答性は1310 nmで0.8 A/Wです。

1270～1620 nmの波長範囲のチャネルモニタリングに標準または大面積のフォトダイオードを選択すると、極めて低い暗電流からのメリットが得られます。

(28 Gbps) NRZまたは(56 Gbps) PAM4用に構成されたプラガブルトランシーバーにこれらの13XX nmフォトダイオードアレイチップを使用することで、低暗電流と高信頼性からのメリットを得ることができます。

水素燃料電池の可能性と課題

Coherent FL-ARMレーザにより、PEM燃料電池の主要部品であるバイポーラプレートの溶接をコスト効率よく行うことができます。

Coherentのアプリケーション開発サポートとCoherentのLaser FrameWorkソフトウェアにより、SiemensはIDリンク製造プログラムを成功させることができました。

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