SiCパワーデバイスおよびモジュール
ベアダイシリコンカーバイドMOSFET
SiCの比類のない効率、周波数、温度、電圧能力を使用して、最も要求の厳しい車載用途向けのパワーエレクトロニクスを構築します。
Coherent SiCベアダイMOSFETは、実績のある技術プラットフォーム (GE Aviation Systemsからライセンス供与) を使用して、業界トップクラスのFITレートを実現します。車載用途向けのAEC-Q101定格で、唯一の200℃ジャンクション温度を提供します。
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ベアダイシリコンカーバイドMOSFETの特徴
高電圧、低RDS(on) 200℃まで対応
超低ゲート抵抗による高速スイッチングが可能。
非常に低い、温度不変のスイッチング損失。
シリコンより優れたアバランシェ耐久性
同期整流用高速回復ボディダイオード。
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