SiC 功率器件和模块

碳化硅功率模块

Silicon Carbide Power Modules

充分利用 SiC 电力电子器件的独特性能，以及我们符合行业标准、且空间利用率更佳的各种模块。

具有更出色的系统效率、性能和可靠性。可适应更高温度和更严苛的环境。冷却要求更低，降低了整体系统成本和复杂性。可在拓扑中高效运行，且具有持续硬关断能力。可提高功率密度，支持双向拓扑。

碳化硅功率模块特性

  • 高度可靠的 SiC MOSFET 器件

  • 低 RDS(on)（2.9 mΩ ~ 60 mΩ – 仅器件） 

  • 低杂散电感

  • SiC 芯片可耐受 200°C 高温 

  • 整体运行期间的开关损耗极低

  • 反向恢复最小的寄生二极管 

  • 专用开尔文源极引脚 

  • 提供 Si3N4 AMB 基板

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