イオンインプラント
イオンインプラントファウンドリサービス
当社は、お客様のイオンインプラントのニーズを満たすフルサービスのパートナーシップを提供しています。どのようなボリューム、どのような用途にも確実に対応し、需要の急増にも応じられる能力を備えています。
Coherentの世界クラスのイオンインプラントファウンドリは、300 mmウェハの生産量から、より小さなウェハサイズやチップの研究開発、化合物半導体基板への加熱注入まで、あらゆる形態のインプラント要件に対応できます。
主な機能
- 分割プロセスによって導入されたウェハの曲がりを軽減する移植プロセス（JA Turcaud、D Lee、D Rossman、G Lucchesi、B Chan US Patent App. 18/982,737）
- 偏光子、回折格子、およびイオン注入によるメタ表面製造（G Barbarossa、R Chebi、R Sundaram、J Turcaud、C Greiner US Patent App. 18/607,870）
- アルミニウムイオンビーム発生源技術のシステムおよび方法（A Hassan、R Pong、J Turcaud、J Schuur US Patent App. 18/426,555）
比類のない体験 Coherentは、業界で最も経験豊富なイオンインプラントアプリケーションチームを活用して、お客様の成功を最適化するための最も迅速でコスト効率の高い手法を以下の点に関して提供しています。
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信頼できるパートナー インプラントのパートナーとして、以下の目的でCoherentをご利用ください。
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総合資料
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イオンインプラントでフォトニクスの未来をパワーアップ
スマートフォンの顔認識からAI駆動型データセンターの高速データまで、今日の接続された世界は精密レーザで動作します。これらの先進的なフォトニクスデバイスは、最新のセンシングと通信の基盤です。
このビデオでは、イオン注入がレーザ性能をどのように向上させ、集束ビームの密集化、熱安定性の向上、高度なマルチジャンクション設計を実現するかについて説明します。レーザチャネルの分離、クロストークの低減、速度と信頼性の向上に重要な役割を果たします。
また、VCSELとEELの違いと、これらが最先端の用途に不可欠である理由についても学習します。数十年にわたる専門知識とグローバルなファウンドリモデルを備えたCoherentは、シミュレーションから大量のウエハ処理まで、エンドツーエンドのイオン注入サービスを提供し、より迅速かつスマートなイノベーションを支援します。
▶️ イオン注入がフォトニクスの未来をどのように形作っているか、Coherentが設計をどのように向上させるかをご覧ください。
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半導体デバイス用イオンインプラント
イオン注入は、イオンを高速に加速し、半導体化合物に移植する技術です。このプロセスにより、電気キャリアのレベルと分布を正確に制御できるため、材料の電気的特性を高精度で調整できます。Coherentは世界最大のイオン注入ファウンドリであり、お客様のニーズに応えるさまざまなサービスを提供しています。
