SiC 功率器件和模块

裸片碳化硅 MOSFET

Silicon Carbide MOSFETs

利用 SiC 出色的效率、频率、温度和电压特性，打造适用于严苛汽车应用的电力电子器件。

Coherent 裸片 SiC MOSFET 采用成熟的技术平台（由 GE Aviation Systems）提供业界领先的 FIT 率。它们符合 AEC-Q101 标准，适合汽车应用，且其 200°C 结温能力在业内无出其右 

裸片碳化硅 MOSFET 特性

  • 高电压和低 RDS(on)，高达 200°C。

  • 通过超低栅极电阻实现快速开关。 

  • 极低、恒温的开关损耗。

  • 雪崩鲁棒性优于硅 

  • 通过快恢复寄生二极管实现同步整流。

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