SiC-Leistungsgeräte und -Module

Siliziumkarbid-Bare-Die-MOSFETs

Entwickeln Sie Leistungselektronik für die anspruchsvollsten Anwendungen im Automobilbereich und nutzen Sie die unübertroffenen Effizienz-, Frequenz-, Temperatur- und Spannungseigenschaften von SiC.

Die SiC-Bare-Die-MOSFETs von Coherent nutzen eine bewährte Technologieplattform (lizenziert von GE Aviation Systems), um branchenführende FIT-Raten zu erzielen. Sie sind nach AEC-Q101 für Automobilanwendungen zugelassen und bieten eine branchenführende Sperrschichttemperatur von 200 °C.

Bare-Die-Siliziumkarbid-MOSFETs – Eigenschaften

  • Hohe Spannung und niedriger RDS(on) bis 200 °C.

  • Schnelles Schalten durch extrem niedrigen Gate-Widerstand. 

  • Sehr geringe, temperaturinvariante Schaltverluste.

  • Lawinenrobustheit, die der von Silizium überlegen ist 

  • Body-Diode mit schneller Erholung für synchrone Gleichrichtung.