ネットワーク
高出力100 GHz DFBレーザダイオードチップ
非冷却時の出力は100 mW、冷却時の出力は300 mWで、最先端のOバンドトランシーバーでレーンあたりそれぞれ100 Gbpsと200 Gbpsを得ることができます。
これらのチップは、非冷却型DR$およびDR8トランシーバーの粗波長分割多重化（CWDM）波長要件に適合するように、4つの波長帯域で利用できます。高い信頼性を特徴とし、非密閉型パッケージ用としてGR-468規格に適合しています。
By providing your information and clicking ‘Subscribe’, you opt-in to receiving periodic email marketing communications from Coherent Corp. and understand that your personal data will be processed in accordance with our Privacy Policy and that our Terms apply. You may opt-out of marketing emails sent by us at any time by clicking the unsubscribe link in any marketing email you receive.
高出力100 GHzレーザダイオードチップ
これらのチップは、Ø150 mmのグリップリング付き半透明テープで試験および検査されます。1.6Tまでの高度なシリコントランシーバー設計をサポートできる将来性のある技術です。
主な機能
非冷却式OバンドCWDM4用に設計
非密閉型パッケージ用としてGR-468規格準拠
優れた信頼性
上部アノードと裏面カソードの構成
RoHS適合
使用可能な波長 - CWDM4 1270 nm～1330 nm
関連製品
注目のブログ
水素燃料電池の可能性と課題
Coherent FL-ARMレーザにより、PEM燃料電池の主要部品であるバイポーラプレートの溶接をコスト効率よく行うことができます。
注目の成功事例
Laser Framework、Siemensのデジタルファクトリーで高い実績を残す
Coherentのアプリケーション開発サポートとCoherentのLaser FrameWorkソフトウェアにより、SiemensはIDリンク製造プログラムを成功させることができました。
