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고출력 100GHz DFB 레이저 다이오드 칩
냉각되지 않은 경우 100mW의 출력 전력과 냉각 시 300mW의 출력 전력을 확보하여 최첨단 O-밴드 트랜시버에 대해 각각 레인당 100Gbps 및 200Gbps를 사용할 수 있습니다.
이 칩은 비냉각식 DR$ 및 DR8 트랜시버의 CWDM(Coarse Division Multiplexing) 파장 요구 사항에 맞게 4개의 파장 대역으로 제공됩니다. 이 제품은 높은 신뢰성을 특징으로 하며 비밀폐형 패키지에 사용할 수 있도록 GR-468에 따라 인증되었습니다.
고출력 100GHz 레이저 다이오드 칩
그립 링 Ø 150mm의 반투명 테이프에서 이 칩을 테스트하고 검사하십시오. 첨단 실리콘 트랜시버 설계를 1.6T까지 지원할 수 있는 미래 지향적인 기술입니다.
주요 특징
비냉각식 O-밴드 CWDM4용으로 설계됨
비밀폐형 패키지에 사용할 수 있도록 GR-468에 따라 인증됨
탁월한 신뢰성
상단 양극 및 뒷면 음극 구성
RoHS 준수
사용 가능한 파장 - CWDM4 1270nm~1330nm
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