Netzwerktechnik

Leistungsstarke 100 mW DFB-Laserdiodenchips

1300 nm 100 mW CW CWDM4 DFB Laser Diode Chips

Erhalten Sie 100 mW ungekühlte Ausgangsleistung und 300 mW Ausgangsleistung im gekühlten Zustand, um 100 Gbit/s bzw. 200 Gbit/s pro Spur für hochmoderne O-Band-Transceiver zu ermöglichen.

Diese Chips sind in vier Wellenlängenbändern erhältlich, um den Wellenlängenanforderungen des Grobmultiplexings (CWDM) in ungekühlten DR4- und DR8-Transceivern gerecht zu werden. Sie zeichnen sich durch eine hohe Zuverlässigkeit aus und sind gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen qualifiziert.

Leistungsstarke Laserdiodenchips mit 100 mW

Lassen Sie diese Chips auf einem durchsichtigen Klebeband mit Griffring Ø 150 mm testen und prüfen. Zukunftssichere Technologie, die fortschrittliche Silizium-Transceiver-Designs bis 1,6 T unterstützt.

Datenblätter

Hauptmerkmale

  • Entwickelt für ungekühltes O-Band CWDM4

  • Qualifiziert gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen

  • Ausgezeichnete Zuverlässigkeit

  • Obere Anoden- und Rückseitenkathodenkonfiguration

  • Entspricht RoHS

  • Verfügbare Wellenlängen - CWDM4 1270 nm bis 1330 nm

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