Netzwerktechnik
Leistungsstarke 100 GHz DFB-Laserdiodenchips
Erhalten Sie 100 mW ungekühlte Ausgangsleistung und 300 mW Ausgangsleistung im gekühlten Zustand, um 100 Gbit/s bzw. 200 Gbit/s pro Spur für hochmoderne O-Band-Transceiver zu ermöglichen.
Diese Chips sind in vier Wellenlängenbändern erhältlich, um den Wellenlängenanforderungen des Grobmultiplexings (CWDM) in ungekühlten DR$- und DR8-Transceivern gerecht zu werden. Sie zeichnen sich durch eine hohe Zuverlässigkeit aus und sind gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen qualifiziert.
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Leistungsstarke 100 GHz Laserdiodenchips
Lassen Sie diese Späne auf einem durchsichtigen Klebeband mit Griffring Ø 150 mm testen und prüfen. Zukunftssichere Technologie, die fortschrittliche Silizium-Transceiver-Designs bis 1,6 T unterstützen kann.
Hauptmerkmale
Entwickelt für ungekühltes O-Band CWDM4
Qualifiziert gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen
Ausgezeichnete Zuverlässigkeit
Obere Anoden- und Rückseitenkathodenkonfiguration
Entspricht RoHS
Verfügbare Wellenlängen - CWDM4 1270 nm bis 1330 nm
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