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高功率 100 GHz DFB 激光二极管芯片
获得 100 mW 的非冷却输出功率和 300 mW 的冷却输出功率，分别为尖端 O 频段收发器实现每通道 100 Gbps 和 200 Gbps 的速率。
这些芯片提供四个波长频带，以满足非制冷 DR$ 和 DR8 收发器的粗分复用 (CWDM) 波长要求。它们可靠性高，并符合 GR-468 标准，可用于非密封封装。
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高功率 100 GHz 激光二极管芯片
使用直径为 150 毫米的夹环在半透明胶纸上对这些芯片进行测试和检查。这种面向未来的技术可支持高达 1.6T 的先进硅收发器设计。
关键特性
专为非冷却 O 频段 CWDM4 设计
符合 GR-468 标准，可用于非密封封装
出色的可靠性
顶部阳极和背面阴极配置
符合 RoHS
可用波长 - CWDM4 1270 nm 至 1330 nm
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