ネットワーク

100 Gbps PAM4 DFBレーザダイオードチップ

NRZまたはPAM4(4レベル)変調をベースとした高速非冷却式トランシーバーには、4つのOバンドCWDM波長すべてで利用できる13XX nmレーザダイオードチップを使用できます。

これらの小型チップは、0~+85℃の広い動作温度範囲と、上部アノードと裏面カソードの構成により、プラガブルトランシーバーへの組み込みが非常に容易です。高い信頼性を特徴とし、RoHSに完全準拠しています。

CWDM DFBレーザダイオードチップ

これらのチップは、ギガビットイーサネットやストレージエリアネットワーク、5Gワイヤレスフロントホールデータリンクで使用できます。非密閉型パッケージで使用するためのGR-468規格に合わせて設計されています。

主な機能

  • 非冷却式100 Gbps PAM 4に最適

  • 非密閉型パッケージで使用するためのGR-468規格に合わせて設計

  • 上部アノードと裏面カソードの構成

  • RoHS適合

  • 使用可能な波長 - CWDM4 1270 nm~1330 nm