半導体製造
欠陥の特定および回避、Low-κ誘電体などの高度な材料の加工により、最先端のトランジスタノードからレガシーノードに至るまで製造工場をサポートします。
- 分解能の最大化 幅広い製品ラインアップの短波長レーザにより最高解像度を実現できます。
- 感度の向上 出力の向上とレーザの短波長化により、欠陥検知感度の向上と処理の高速化を実現しています。
- UVによる高信頼性 当社のUV/DUVレーザは、卓越した経験に裏打ちされた優れた信頼性を備えています。
ウェハ検査
出力向上による検知感度の向上と処理の高速化に加えて、最大限の動作寿命と稼働時間特性を実現している紫外線レーザ光源。
マスク検査
製造工場認証済みで信頼性の高い193 nmエキシマレーザと266 nm LD励起固体レーザ、高い一貫性で最小サイズのレチクル欠陥を特定するイオンレーザ。
ウェハレーザアニーリング
迅速で正確なドーパントの活性化に必要な高出力と正確なパルス長制御を備えた、可視波長レーザと赤外線波長レーザ。
ウェハダイシング
Low-κ誘電体の高スループットスクライビングとフルアブレーションダイシング向けの高出力超短パルスレーザ。高いダイ強度を実現し、剥離を防止します。
ウェハマーキング
デブリやマイクロクラックを発生させることなく、高コントラスト、高解像度、機械可読容易のマークを生成する可視/UV波長の固体レーザ。
新しいエキシマレーザ加工により、超硬DLC膜の低温製作が迅速化
ミットヴァイダ応用科学大学のチームが、どのようにしてヤング率700〜800 GPaで最大70 GPaの硬度を達成し、きわめて高い耐摩耗性を実現したのかについてご覧ください。
LEAPの高パルスエネルギーにより、高速堆積とレーザアニーリングが可能になっています。 安定した出力とフラットトップビームプロファイルのおかげで、堆積プロセスとレーザアニーリングプロセスの両方を正確に制御できています
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