네트워킹
100Gbps PAM4 DFB 레이저 다이오드 칩
4개의 O-밴드 CWDM 파장 모두에서 사용할 수 있는 NRZ 또는 PAM4(4레벨) 변조를 기반으로 하는 고속 비냉각식 트랜시버에 이러한 13XXnm 레이저 다이오드 칩을 사용하십시오.
이 소형 칩은 0~+85°C의 넓은 작동 온도 범위와 상단 양극 및 뒷면 음극 구성 덕분에 매우 쉽게 플러그형 트랜시버에 통합할 수 있습니다. 이 제품은 높은 신뢰성을 특징으로 하며 RoHS에 완벽히 부합합니다.
CWDM DFB 레이저 다이오드 칩
기가비트 이더넷, 저장 영역 네트워크, 5G 무선 프론트홀 데이터링크에서 이 칩을 사용하십시오. 비밀폐형 패키지에 사용할 수 있도록 GR-468로 설계되었습니다.
주요 특징
비냉각식 100Gbps PAM 4에 적합
비밀폐형 패키지에 사용할 수 있도록 GR-468로 설계됨
상단 양극 및 뒷면 음극 구성
RoHS 준수
사용 가능한 파장 - CWDM4 1270nm ~ 1330nm
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