ネットワーク
エッジ発光型モニターフォトダイオード（EMPD）チップ
これらの自己密閉型デバイスは、1270～1620 nmの波長範囲でチャネルモニタリングに使用でき、標準的な応答性は1310 nmで0.8 A/Wです。
このコンパクトな端面照射型InGaAsモニターフォトダイオードチップは、公称アクティブエリア210 μm x 210 μm、動作温度範囲-40℃～90℃を特徴としています。これにより、トランシーバー、トランスポンダー、その他の機器への統合が容易になります。
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エッジ発光型モニターフォトダイオード（EMPD）チップ
これらのGR-468規格準拠チップを非密閉型パッケージで使用することで、高い信頼性と極めて低い暗電流を備えた高性能通信コンポーネントを製作できます。
主な機能
広いアクティブエリア - 公称210 μm x 210 μm
動作温度-40°C〜+90°C
非密閉型パッケージ用としてGR-468規格準拠
極めて低い暗電流と高い信頼性
1310 nmで0.8 A/Wの標準応答性で1270～1620 nmに応答
RoHS適合
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