SiC基板とエピタキシー

RFエレクトロニクス用SiC

SiC for RF Electronics

当社の高品質半絶縁性SiC基板を使用して、GaN-on-SiC RFパワーアンプやその他のRFおよびマイクロ波デバイスの生産を拡大してください。

Coherentは、大口径の半絶縁性SiC基板開発のパイオニアであり、低電力損失、高周波動作、優れた熱安定性を備えたコンポーネントの製造を可能にする高抵抗材料を提供しています。

半絶縁性シリコンカーバイドの材料特性

Coherentは、お客様がデバイスの性能向上とコスト削減を実現できるよう、継続的に材料の品質を改善し、基板の直径を拡大しています。

データシート

半絶縁性炭化ケイ素の材料特性

物理的特性

構造

六方晶、単結晶

直径

最大200 mm

グレード

プライム、開発、メカニカル

熱特性

熱伝導率

370 (W/mK)、室温

熱膨張係数

4.5 x 10-6/K

比熱 (25°C)

0.71 (J/g°C)

Coherent SiC基板の重要な追加特性 (代表値)

パラメータ

半絶縁性

ポリタイプ

6時間

ドーパント

バナジウム

抵抗率

>1019 Ohm-cm

向き

軸上

粗さ、Ra

<5Å

転位密度

< 10,000 cm-2

マイクロパイプ密度

< 10cm-2

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