Substrate und Epitaxie auf SiC-Basis
SiC für RF-Elektronik
Erhöhen Sie die Produktion von GaN-on-SiC-RF-Leistungsverstärkern und anderen RF- und Mikrowellengeräten mit unseren hochwertigen halbisolierenden SiC-Substraten.
Coherent hat bei der Entwicklung von halbisolierenden SiC-Substraten mit großem Durchmesser Pionierarbeit geleistet und liefert hochohmigen Werkstoff, der die Herstellung von Komponenten mit geringer Verlustleistung, Hochfrequenzbetrieb und guter thermischer Stabilität ermöglicht.
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Halbisolierender Siliziumkarbid-Werkstoff – Eigenschaften
Coherent verbessert kontinuierlich die Qualität seiner Werkstoffe und vergrößert die Substratdurchmesser, damit unsere Kunden die Leistung ihrer Geräte steigern und die Kosten senken können.
Halbisolierender Siliziumkarbid-Werkstoff – Eigenschaften |
|
Physikalische Eigenschaften |
|
Struktur |
Sechseckig, Einkristall |
Durchmesser |
Bis zu 200 mm |
Grade |
Prime, Entwicklung, Mechanik |
Thermische Eigenschaften |
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Wärmeleitfähigkeit |
370 (W/mK) bei Raumtemperatur |
Wärmeausdehnungskoeffizient |
4,5 x 10-6/K |
Spezifische Wärme (25 °C) |
0,71 (J/g°C) |
Weitere wichtige Eigenschaften von Coherent SiC-Substraten (typische Werte) |
|
Parameter |
Halbisolierend |
Polytyp |
6H |
Dotierstoff |
Vanadium |
Widerstand |
> 1019 Ohm -cm |
Ausrichtung |
Auf Achse |
Rauhigkeit, Ra |
< 5 Å |
Versetzungsdichte |
< 10.000 cm-2 |
Mikrorohrdichte |
< 10 cm-2 |
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