SiC基板とエピタキシー
パワーエレクトロニクス用SiC
電気自動車やハイブリッド車、航空宇宙用途に使用される高温・高周波パワーエレクトロニクス用のMOSFET、IGBT、その他のコンポーネントを製造します。
当社の導電性SiC基板は、低抵抗率、低欠陥密度、高均質性、優れた結晶品質、高熱伝導性を兼ね備えており、低電力損失、高周波動作、優れた熱安定性を備えたデバイスを実現します。
n型シリコンカーバイドの材料特性
Coherentは、お客様がデバイスの性能向上とコスト削減を実現できるよう、継続的に材料の品質を改善し、基板の直径を拡大しています。
関連製品
Featured Blog
SiC Circuitry Makes EVs Better
Coherent is one of the few companies worldwide with a complete, vertically integrated SiC manufacturing capability. We produce SiC wafers and epitaxy, all the way through power devices and modules. Furthermore, the unmatched quality with which we can produce SiC material makes Coherent virtually the only supplier positioned to successfully transition from the current standard wafer diameter of 150 mm up to 200 mm.
Featured Blog
Thirty Meter Telescope International Observatory: Optics From Coherent Give Telescopes a Bright Future
Coherent supplies optics and optical fabrication technology for one of the most ambitious astronomy projects ever conceived – the Thirty Meter Telescope.
