ネットワーク
50 GHzおよび35 GHzシングルフォトダイオード
Cバンドまたはデュアルバンド動作が必要な通信や研究・開発用途には、内蔵チップバイアスおよびオプションの低PDLのメリットを活用できる当社のフォトダイオードを使用することができます。
当社の高速デバイスにより、導波管とアクティブフォトダイオードの組み合わせを最適化できます。優れた直線性、高応答性、優れたRF応答平坦性を備えているため、高い光出力でも優れた性能を得ることができます。
高速フォトダイオード – いくつかの重要な詳細
光通信部品、先端部品の研究・開発、マイクロ波フォトニクスなどの用途で、0.5A/Wを超える高い応答性の利点を活用できます。
モデル番号 |
バンド幅（GHz） |
50 Ω抵抗終端 |
波長バンド（nm） |
偏光依存損失PDL（dB） |
CXPDV2120R |
50 |
✔ |
1550 |
0.5 |
CXPDV2320R |
50 |
✔ |
1310および1550 |
0.5 |
CXPDV2150R |
50 |
✔ |
1550 |
0.25 |
CXPDV2350R |
50 |
✔ |
1319および1550 |
0.25 |
CXPDV2120 |
35 |
̵ |
1550 |
0.5 |
CXPDV2050 |
35 |
̵ |
1550 |
0.25 |
関連製品
注目のブログ
SiC回路によるEV性能の向上
Coherentは、垂直統合された完全なSiC製造能力を持つ、世界でも数少ない企業の1つです。当社は、SiCウエハ、エピタキシーからパワーデバイスやモジュールまでを生産しています。さらに、Coherentは、SiC材料の製造において比類のない品質を誇っており、現在の標準的なウエハ直径である150 mmから200 mmへの移行を達成することができる唯一のサプライヤーです。
注目の成功事例
アウクスブルク大学：フルエンス制御を容易にするエキシマレーザオプティクス
アウクスブルク大学のヘルムート・カール教授率いるチーム、単結晶ターゲットのアブレーション定量分析にCOMPexレーザと特注のパルスレーザ成膜（PLD）ビームオプティクスを選択。
