SiC-Leistungsgeräte und -Module
Siliziumkarbid-MOSFETs
Erstellen Sie Leistungsumwandlungssysteme mit verbessertem Wirkungsgrad und niedrigeren Betriebstemperaturen mit unseren SiC-MOSFETs für hohe Spannungen und hohe Schaltfrequenzen.
Die SiC-MOSFETs von Coherent bieten im Vergleich zu bestehenden Silizium-Bauelementen eine überragende Energieeffizienz und Leistung. Sie sind das einzige Produkt auf dem Markt, das eine Sperrschichttemperatur von 200 °C erreichen kann und über branchenführende Lawinenwerte sowie einen überragenden RDS(on) verfügt.
Siliziumkarbid-MOSFETs – Eigenschaften
Hohe Spannung und niedriger RDS(on) bis 200 °C.
Schnelles Schalten durch extrem niedrigen Gate-Widerstand.
Sehr geringe, temperaturinvariante Schaltverluste.
Lawinenrobustheit, die der von Silizium überlegen ist
Body-Diode mit schneller Erholung für synchrone Gleichrichtung.
Verwandte Produkte
Ausgewählter Blog
SiC-Schaltkreise verbessern Elektrofahrzeuge
Coherent ist weltweit eines der wenigen Unternehmen mit vollständiger, vertikal integrierter SiC-Fertigungskapazität. Wir produzieren von SiC-Wafern und ihrer Epitaxie bis hin zu Elementen und Modulen des Leistungsbaus in eigener Regie. Darüber hinaus macht die unübertroffene Qualität, in der wir SiC-Material herstellen, Coherent praktisch zum einzigen Anbieter, der in der Lage ist, erfolgreich vom aktuellen Standarddurchmesser für Wafer von 150 mm auf 200 mm umzustellen.
Ausgewählter Erfolgsgeschichte
Thirty Meter Telescope International Observatory: Optiken von Coherent geben Teleskopen eine strahlende Zukunft
Coherent liefert Optiken und optische Fertigungstechnologie für eines der ehrgeizigsten Astronomieprojekte aller Zeiten – das Thirty Meter Telescope [dt.: Dreißig-Meter-Teleskop].
