SiC 전력 장치 및 모듈

실리콘 카바이드 MOSFET

Silicon Carbide MOSFETs

당사에서 제작한 스위칭 주파수가 높은 고전압 SiC MOSFET을 이용하여 효율이 높고 작동 온도가 낮은 전력 변환 시스템을 만드십시오.

Coherent의 SIC MOSFET은 우수한 에너지 효율과 기존의 실리콘 장치에 비해 더 탁월한 성능을 제공하며, 업계 최고의 애벌런치 정격 및 우수한 RDS(on) 값과 함께 200°C 접합 온도 성능을 제공하는 유일한 제품입니다.

실리콘 카바이드 MOSFET의 특징

  • 고전압, 낮은 RDS(on), 최대 200°C.

  • 초저 게이트 저항으로 고속 스위칭이 가능합니다. 

  • 스위칭 손실이 매우 적고 열에 의한 변화가 없습니다.

  • 애벌런치 견고성이 실리콘보다 뛰어납니다. 

  • 동기 정류를 위한 고속 복구 바디 다이오드.

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