材料

反应烧结 SiC

供应几乎任何尺寸或形状的 RB-SiC 组件，并可根据需要进行定制，包括高平整度、大渗透深度和内部冷却通道。

RB-SiC 提供独特的物理特性组合（耐高温、低 CTE、化学惰性、高强度和强度重量比），适用于高压电子、半导体工具等应用。

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反应烧结 SiC 特性

从一系列针对各种机械、热和电气特性进行了优化的 RB-SiC 衬底材料中进行选择。

数据表

特性	SSC-702	SSC-802	SSC-902	SSC-HTC	SSC-FG （细粒 SiSiC）	HSC-702 (Si/SiC+Al)	TSC-15 (Si/SiC + Ti)	RBBC-751 (B4C/SiC/Si)	SiCAM 700	SiCAM 800
SiC 含量（体积%）	70	80	90	78	70	70	80	70B4C 10SiC	70	80
Si 含量（体积%）	30	20	10	22	30	30	20	20	30	20
堆积密度 (g/cc) [p]	2.95	3.00	3.12	3.02	2.94	3.01	3.13	2.56	2.95	3.00
杨氏模量 (GPa) [E]	350	380	410	373	330	330	390	400	345	365
泊松比	0.18	0.18	0.18	0.2	0.18	0.19	0.19	0.18	0.185	0.185
抗弯强度 (MPa)	270	280	280	265	350	275	225	280	280	290
断裂韧性 (Mpa-m^1/2)	4	4	4	3.5	4	5	5	5	3.2	3.2
CTE（25-100°C）（ppm/K）	2.9	2.9	2.7	2.9	3	4.4	3	4.8	3.2	3.1
热导率(W/mK)	170	180	190	402	150	200	210	52	177	185
比热 (J/kg-K)	680	670	660	670	680	700	670	890	686	674
比刚度 (E/ρ)	119	127	131	-	112	109	125	156	117	122
热稳定性 (k/α)	59	62	70	-	50	45	70	11	55	60