Substrate und Epitaxie auf SiC-Basis
SiC-Epitaxie
Beschleunigen Sie die Markteinführung, senken Sie die Kosten und verbessern Sie die Geräteleistung, indem Sie auf Hochleistungs-SiC-Epitaxiewafern von Coherent mit einem Durchmesser von bis zu 200 mm aufbauen.
Coherent bietet eine Gesamtlösung für SiC-Werkstoffe mit Optionen für dicke Epilayer mit oder ohne Puffer, niedrig dotierte Schichten, Mehrschichtstrukturen, p-n-Übergänge, eingebettete/vergrabene Strukturen und Kontaktschichten und vieles mehr. Wir unterstützen Forschung und Entwicklung bis hin zur Serienproduktion.
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SiC-Epitaxie-Fähigkeiten – Highlights
Modernste SiC-Epitaxie-Technologie
Rekordniedrige Defektdichte durch effiziente Pufferschichttechnologie
Verhindert die Keimbildung kristalliner Defekte zu Beginn des Wachstums
Umwandlungsrate von BPD in TED >99,8 % → 1 BPD pro cm2
Ermöglicht bipolare SiC-Gerätetechnologie
Erstklassige Schichthomogenität mit LPE PE106
Einstellbare seitliche Gasströme
Hohe Wachstumsrate von 40 µm/h bei Verwendung von TCS als Siliziumvorläufer
Dickschichtwachstum von 150 µm und mehr
Niedrige Dotierungskonzentrationen von 1×1014/cm3
Ermöglicht >15 kV SiC-Bauteiltechnologie
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