SiC 기판 및 에피택시
SiC 에피택시
최대 200mm 직경의 Coherent 고성능 SiC 에피택셜 웨이퍼를 이용하여 출시 시간을 단축하고 비용을 절감하고 장치 성능을 개선하십시오.
Coherent는 버퍼가 있거나 없는 두꺼운 에피층, 저도핑층, 다층 구조, p-n 접합, 임베디드/매립 구조 및 접촉층 등을 위한 옵션을 포함하여 SiC 재료에 관한 토탈 솔루션을 제공합니다. 당사는 R&D부터 양산까지 지원합니다.
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SiC 에피택시의 주요 성능
최첨단 SiC 에피택시 기술
효율적인 버퍼 레이어 기술을 통해 결함 빈도를 기록적으로 낮춤
성장 시작 시 결정핵 생성 결함 방지
BPD-TED 전환율 >99.8% → cm2당 1 BPD
바이폴라 SiC 장치 기술 구현
LPE PE106으로 동급 최고의 층 균질성 달성
측면의 가스 흐름 조절 가능
TCS를 실리콘 전구체로 사용하여 40µm/h의 높은 성장 속도 구현
150μm 이상의 두꺼운 층 성장
1×1014/cm3의 낮은 도핑 농도
15kV를 초과하는 SiC 장치 기술 구현
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더 나은 EV를 만드는 SiC 회로
Coherent는 수직적으로 통합된 완전한 SiC 제조 능력을 갖춘 전 세계에서 몇 안 되는 기업 중 하나입니다. Coherent는 전력 장치와 모듈을 통해 SiC 웨이퍼 및 에피택시를 생산합니다. 또한 SiC 재료를 생산할 수 있는 탁월한 품질 덕분에 Coherent는 현재 표준 웨이퍼 직경인 150mm에서 200mm까지 성공적으로 전환할 수 있는 거의 유일한 공급업체가 되었습니다.
주요 성공 사례
30미터 망원경 국제 천문대: 망원경의 새로운 미래를 제시하는 Coherent의 광학 기술
Coherent는 가장 야심 찬 천문학 프로젝트 중 하나인 30미터 망원경에 필요한 광학 장치 및 광학 제작 기술을 제공합니다.