SiC 기판 및 에피택시

SiC 에피택시

최대 200mm 직경의 Coherent 고성능 SiC 에피택셜 웨이퍼를 이용하여 출시 시간을 단축하고 비용을 절감하고 장치 성능을 개선하십시오.

Coherent는 버퍼가 있거나 없는 두꺼운 에피층, 저도핑층, 다층 구조, p-n 접합, 임베디드/매립 구조 및 접촉층 등을 위한 옵션을 포함하여 SiC 재료에 관한 토탈 솔루션을 제공합니다. 당사는 R&D부터 양산까지 지원합니다.

SiC 에피택시의 주요 성능

최첨단 SiC 에피택시 기술

  • 효율적인 버퍼 레이어 기술을 통해 결함 빈도를 기록적으로 낮춤

  • 성장 시작 시 결정핵 생성 결함 방지 

  • BPD-TED 전환율 >99.8% → cm2당 1 BPD

  • 바이폴라 SiC 장치 기술 구현

 

LPE PE106으로 동급 최고의 층 균질성 달성

  • 측면의 가스 흐름 조절 가능 

  • TCS를 실리콘 전구체로 사용하여 40µm/h의 높은 성장 속도 구현 

  • 150μm 이상의 두꺼운 층 성장 

  • 1×1014/cm3의 낮은 도핑 농도

  • 15kV를 초과하는 SiC 장치 기술 구현