SiC 衬底和外延片

SiC 外延片

SiC Epitaxy

利用 Coherent 高意直径高达 200 毫米的高性能 SiC 外延片生产晶圆，缩短上市时间、降低成本并提高器件性能。

Coherent 高意提供全面的 SiC 材料解决方案，包括带或不带缓冲层的厚外延层、低掺杂层、多层结构、p-n 结、嵌入/埋入结构和接触层等选项。我们为从研发到批量生产的整个产品生命周期提供支持。

SiC 外延能力亮点

数据表

先进的 SiC 外延技术

  • 通过高效的缓冲层技术获得出色的低缺陷密度

  • 在生长开始时防止成核晶体缺陷  

  • BPD 到 TED 的转换率 >99.8% → 每平方厘米 1 BPD

  • 支持双极 SiC 器件技术

 

LPE PE106 具有出色的层均匀性

  • 可调节横向气流 

  • 使用 TCS 作为硅前体时，生长速率高达 40 µm/h 

  • 150 µm 及以上厚层生长 

  • 1×1014/cm3 低掺杂浓度

  • 支持 >15 kV SiC 器件技术

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Coherent高意是全球为数不多的拥有完整、垂直整合的 SiC 生产能力的公司之一。我们生产 SiC 晶圆和外延片以及功率器件和模块。此外，我们生产的 SiC 材料具有出色的质量，这使 Coherent高意几乎成为唯一能够成功从当前标准晶圆直径 150 毫米过渡到 200 毫米的供应商。 

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