半导体制造
通过定位和避免缺陷以及处理低 K 电介质等先进材料，支持生产从先进的晶体管节点到传统节点的晶圆厂。
- 超高分辨率 使用多种短波长激光器以超高分辨率工作。
- 提高灵敏度 使用更高的功率和更短的激光波长提高缺陷检测灵敏度并加快处理速度。
- UV 可靠性 凭借我们极丰富的经验，在 UV 和 DUV 激光器中享受卓越的可靠性。
晶圆检测
紫外激光源，通过提供高功率来提高速度或增强检测灵敏度，并尽可能延长使用寿命和正常运行时间。
掩膜板检测
经工厂认证且高度可靠的 193 nm 准分子激光器和 266 nm DPSS 激光器，以及始终能够识别极小十字线缺陷的离子激光器。
晶圆退火
可见和红外波长激光器，具有可实现快速、精确的掺杂剂活化所需的高功率和精确的脉冲长度控制力。
晶圆划片
高功率、超短脉冲激光器，用于低 K 电介质高通量划线和完全烧蚀划片，可产生高芯片强度并避免分层。
晶圆打标
可见和紫外波长固态激光器，可产生高对比度、高分辨率、易于机器读取的标记，而不会产生碎屑或微裂纹。
新准分子工艺可在低温下快速生成超硬 DLC 薄膜
了解应用科学大学的 Mittweida 团队如何实现高达 70 GPa 的硬度和 700 至 800 GPa 的杨氏模量，从而实现极高的操作耐磨性。
LEAP 的高脉冲能量可实现快速沉积和退火。 稳定的输出和平顶光束轮廓使我们能够精确控制沉积和退火工艺
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