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28 GHz 和 56 GHz EML FR 载体芯片
使用这些集成（DFB 激光器加调制器）器件构建用于 28 GBd PAM4 调制（56 Gb/s 比特率）或 56 GBd PAM4 调制（112 Gb/s 比特率）的组件。
将电吸收调制器与 DFB 激光芯片集成在同一载体上，为 FR1、FR4 和 DR/DR+ 应用提供了上佳解决方案。这些载体芯片 (CoC) 器件与经济高效的非密封封装兼容。
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EML 载体芯片
获得这些 CWDM 波长的紧凑型 EML 产品。它们在较宽的温度范围（20°C 至 70°C）内运行具有高可靠性，并且信号完整性高。
关键特性
可选择 56Gb/s（28 GBd PAM4 信号调制）或 112Gb/s（56 GBd PAM4 信号调制）
可用波长：CWDM
与经济高效的非密封封装兼容
工作温度范围 20°C 至 70°C
集成射频终端电阻可提高信号完整性
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