재료
반응 결합 SiC
높은 편평도, 깊은 침투 깊이, 내부 냉각 채널을 포함하여 필요에 따라 맞춤화된 거의 모든 크기 또는 모양의 RB-SiC 부품을 소싱합니다.
RB-SiC는 고전압 전자 장치, 반도체 툴링 등의 응용 분야를 위해 고열 저항, 낮은 CTE, 화학적 불활성, 고강도 및 강도 대 중량 비율과 같은 물리적 특성이 고유하게 조합되어 있습니다.
반응 결합 SiC 특성
다양한 기계적, 열적, 전기적 특성에 최적화된 다양한 RB-SiC 기판 재료 중에서 선택합니다.
속성 |
SSC-702 |
SSC-802 |
SSC-902 |
SSC-FG (세립 SiSiC) |
HSC-702 (Si/SiC+Al) |
TSC-15 (Si/SiC + Ti) |
RBBC-751 (B4C/SiC/Si) |
SSC-HTC |
푸아송비 |
0.18 |
0.18 |
0.18 |
0.18 |
0.19 |
0.19 |
0.18 |
0.2 |
영률(GPa) [E] |
350 |
380 |
410 |
330 |
330 |
390 |
400 |
373 |
CTE, 20~100ºC(ppm/K) [α] |
2.9 |
2.9 |
2.7 |
3 |
4.4 |
3 |
4.8 |
2.9 |
열전도율 (W/m-K) [k] |
170 |
180 |
190 |
150 |
200 |
210 |
52 |
402 |
비열(J/kg-K) |
680 |
670 |
660 |
680 |
700 |
670 |
890 |
670 |
극한 인장 강도(MPa) |
해당 없음 |
해당 없음 |
해당 없음 |
해당 없음 |
해당 없음 |
해당 없음 |
해당 없음 |
- |
굽힘 강도(MPa) |
270 |
280 |
280 |
350 |
275 |
225 |
280 |
265 |
파괴 인성(Mpa-m1/2) |
4 |
4 |
4 |
4 |
5 |
5 |
5 |
3.5 |
감쇠계수(% Zeta) |
- |
0.12 |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
비강성(E/ρ) |
119 |
127 |
131 |
112 |
109 |
125 |
156 |
- |
온도 안정성(k/α) |
59 |
62 |
70 |
50 |
45 |
70 |
11 |
- |
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