재료

반응 결합 SiC

높은 편평도, 깊은 침투 깊이, 내부 냉각 채널을 포함하여 필요에 따라 맞춤화된 거의 모든 크기 또는 모양의 RB-SiC 부품을 소싱합니다.

RB-SiC는 고전압 전자 장치, 반도체 툴링 등의 응용 분야를 위해 고열 저항, 낮은 CTE, 화학적 불활성, 고강도 및 강도 대 중량 비율과 같은 물리적 특성이 고유하게 조합되어 있습니다.

반응 결합 SiC 특성

다양한 기계적, 열적, 전기적 특성에 최적화된 다양한 RB-SiC 기판 재료 중에서 선택합니다.

속성

SSC-702

SSC-802

SSC-902

SSC-FG

(세립 SiSiC)

HSC-702

(Si/SiC+Al)

TSC-15

(Si/SiC + Ti)

RBBC-751

(B4C/SiC/Si)

SSC-HTC

푸아송비

0.18

0.18

0.18

0.18

0.19

0.19

0.18

0.2

영률(GPa) [E]

350

380

410

330

330

390

400

373

CTE, 20~100ºC(ppm/K) [α]

2.9

2.9

2.7

3

4.4

3

4.8

2.9

열전도율 (W/m-K) [k]

170

180

190

150

200

210

52

402

비열(J/kg-K)

680

670

660

680

700

670

890

670

극한 인장 강도(MPa)

해당 없음

해당 없음

해당 없음

해당 없음

해당 없음

해당 없음

해당 없음

-

굽힘 강도(MPa)

270

280

280

350

275

225

280

265

파괴 인성(Mpa-m1/2)

4

4

4

4

5

5

5

3.5

감쇠계수(% Zeta)

-

0.12

-

-

-

-

-

-

비강성(E/ρ)

119

127

131

112

109

125

156

-

온도 안정성(k/α)

59

62

70

50

45

70

11

-