재료

반응 결합 SiC

Reaction Bonded Ceramics

높은 편평도, 깊은 침투 깊이, 내부 냉각 채널을 포함하여 필요에 따라 맞춤화된 거의 모든 크기 또는 모양의 RB-SiC 부품을 소싱합니다.

RB-SiC는 고전압 전자 장치, 반도체 툴링 등의 응용 분야를 위해 고열 저항, 낮은 CTE, 화학적 불활성, 고강도 및 강도 대 중량 비율과 같은 물리적 특성이 고유하게 조합되어 있습니다.

반응 결합 SiC 특성

다양한 기계적, 열적, 전기적 특성에 최적화된 다양한 RB-SiC 기판 재료 중에서 선택합니다.

데이터 시트

속성 

SSC-702

SSC-802

SSC-902

SSC-HTC

SSC-FG

(세립 SiSiC)

HSC-702

(Si/SiC+Al)

TSC-15

(Si/SiC + Ti)

RBBC-751

(B4C/SiC/Si)

SiCAM 700

SiCAM 800

SiC 함량(부피 %)

      

78

        

70

80

Si 함량(부피 %)

      

~20

        

30

20

벌크 밀도(g/cc)

2.95

3.00

3.12

3.02

2.94

3.01

3.13

2.56

2.95

3.00

영률(GPa) [E]

350

380

410

373

330

330

390

400

345

365

푸아송비

0.18

0.18

0.18

0.2

0.18

0.19

0.19

0.18

0.185

0.185

굽힘 강도(MPa)

270

280

280

265

350

275

225

280

    

파괴인성(Mpa-m1/2)

4

4

4

3.5

4

5

5

5

    

CTE(25~100°C)(ppm/K)

2.9

2.9

2.7

2.9

3

4.4

3

4.8

3.2

3.1

열전도율 (W/mK)

170

180

190

402

150

200

210

52

177

185

비열(J/kg-K)

680

670

660

670

680

700

670

890

686

674

극한 인장 강도(MPa)

해당 없음

해당 없음

해당 없음

-

해당 없음

해당 없음

해당 없음

해당 없음

    

감쇠계수(% Zeta)

-

0.12

-

-

-

-

-

-

    

비강성(E/ρ)

119

127

131

-

112

109

125

156

116.9

121.7

온도 안정성(k/α)

59

62

70

-

50

45

70

11

55.3

59.7

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