재료

III-V RF 에피택셜 웨이퍼

일관된 고성능 III-V 에피택셜 웨이퍼로 시작하여 고속 전자 부품을 제조할 때 효율성, 대역폭, 신뢰성을 개선하십시오.

Coherent는 고급 III-VI 반도체 에피택셜 웨이퍼의 개발, 설계, 제조를 위한 광범위한 기능을 보유하고 있습니다. 차세대 기술을 응용 분야에 쉽게 도입하고 대량 생산을 지원할 수 있습니다.

RF 웨이퍼 기능

무선 장치, 데이터 센터, 고속 통신 네트워크 등을 위한 2~6인치 웨이퍼를 소싱합니다.

소자 유형

모재+

재료 기능

웨이퍼 직경

EpiHBT®

GaAs

InGaP/GaAs, AlGaAs/GaAs

최대 150mm

InP

InP/InGaAs

최대 100mm

EpiBiFET®

GaAs

InGaP/GaAs, AlGaAs/GaAs

최대 150mm

InP

InP/InGaAs, InP/InAlAs

최대 100mm

EpiFET®

GaAs

AlGaAs/GaAs, InGaP/GaAs

최대 150mm

InP

InP/InGaAs, InP/InAlAs

최대 100mm