ネットワーク

50 GHzおよび35 GHzシングルフォトダイオード

Cバンドまたはデュアルバンド動作が必要な通信や研究・開発用途には、内蔵チップバイアスおよびオプションの低PDLのメリットを活用できる当社のフォトダイオードを使用することができます。

当社の高速デバイスにより、導波管とアクティブフォトダイオードの組み合わせを最適化できます。優れた直線性、高応答性、優れたRF応答平坦性を備えているため、高い光出力でも優れた性能を得ることができます。

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高速フォトダイオード – いくつかの重要な詳細

光通信部品、先端部品の研究・開発、マイクロ波フォトニクスなどの用途で、0.5A/Wを超える高い応答性の利点を活用できます。

データシート

モデル番号	バンド幅（GHz）	50 Ω抵抗終端	波長バンド（nm）	偏光依存損失PDL（dB）
CXPDV2120R	50	✔	1550	0.5
CXPDV2320R	50	✔	1310および1550	0.5
CXPDV2150R	50	✔	1550	0.25
CXPDV2350R	50	✔	1319および1550	0.25
CXPDV2120	35	̵	1550	0.5
CXPDV2050	35	̵	1550	0.25

SiC回路によるEV性能の向上

Coherentは、垂直統合された完全なSiC製造能力を持つ、世界でも数少ない企業の1つです。当社は、SiCウエハ、エピタキシーからパワーデバイスやモジュールまでを生産しています。さらに、Coherentは、SiC材料の製造において比類のない品質を誇っており、現在の標準的なウエハ直径である150 mmから200 mmへの移行を達成することができる唯一のサプライヤーです。

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