Substrate und Epitaxie auf SiC-Basis
SiC für die Leistungselektronik
Stellen Sie MOSFETs, IGBTs und andere Komponenten für Hochtemperatur- und Hochfrequenz-Leistungselektronik her, für den Einsatz in Elektro- und Hybridfahrzeugen sowie in der Luft- und Raumfahrt.
Unsere leitfähigen SiC-Substrate zeichnen sich durch einen niedrigen spezifischen Widerstand, eine geringe Defektdichte, eine hohe Homogenität, eine hervorragende Kristallqualität und eine hohe Wärmeleitfähigkeit aus und ermöglichen so Bauteile mit geringer Verlustleistung, Hochfrequenzbetrieb und guter thermischer Stabilität.
By providing your information and clicking ‘Subscribe’, you opt-in to receiving periodic email marketing communications from Coherent Corp. and understand that your personal data will be processed in accordance with our Privacy Policy and that our Terms apply. You may opt-out of marketing emails sent by us at any time by clicking the unsubscribe link in any marketing email you receive.
n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften
Coherent verbessert kontinuierlich die Qualität seiner Werkstoffe und vergrößert die Substratdurchmesser, damit unsere Kunden die Leistung ihrer Geräte steigern und die Kosten senken können.
n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften |
|
Physikalische Eigenschaften |
|
Struktur |
Sechseckig, Einkristall |
Durchmesser |
Bis zu 200 mm |
Grade |
Prime, Entwicklung, Mechanik |
Thermische Eigenschaften |
|
Wärmeleitfähigkeit |
370 (W/mK) bei Raumtemperatur |
Wärmeausdehnungskoeffizient |
4,5 x 10-6/K |
Spezifische Wärme (25 °C) |
0,71 (J/g°C) |
Weitere wichtige Eigenschaften von Coherent SiC-Substraten (typische Werte) |
|
Parameter |
N-Typ |
Polytyp |
6H |
Dotierstoff |
Stickstoff |
Widerstand |
> 1019 Ohm -cm |
Ausrichtung |
4° außeraxial |
Rauhigkeit, Ra |
< 5 Å |
Versetzungsdichte |
~3.000 cm-2 |
Mikrorohrdichte |
< 10 cm-2 |
Verwandte Produkte
Ausgewählter Blog
SiC-Schaltkreise verbessern Elektrofahrzeuge
Coherent ist weltweit eines der wenigen Unternehmen mit vollständiger, vertikal integrierter SiC-Fertigungskapazität. Wir produzieren von SiC-Wafern und ihrer Epitaxie bis hin zu Elementen und Modulen des Leistungsbaus in eigener Regie. Darüber hinaus macht die unübertroffene Qualität, in der wir SiC-Material herstellen, Coherent praktisch zum einzigen Anbieter, der in der Lage ist, erfolgreich vom aktuellen Standarddurchmesser für Wafer von 150 mm auf 200 mm umzustellen.
Ausgewählter Blog
Innovationen in der Datenkommunikation im KI-Zeitalter
Wie Coherent Innovationen bei künstlicher Intelligenz und maschinellem Lernen für Rechenzentren der nächsten Generation vorantreibt.